Exam text content

 

-—

ELT-20100 Analogiaelektroniikka Tentti 18.12.2014
Opettaja: Erja Sipilä —- Centissä saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta.
Nimi: En Opiskeljanumero: AK

Tee — vastaukset kokonaisuudessaan kysymys- | T1 T3 T4 T5 Yhteensä

 

 

 

 

 

 

 

 

T2
E T
papereille. Jatka tarvittaessa paperin kääntöpuolelle. | a s G
Go | 6 O

a

 

 

1. a) Mitäon kohina? Piirrä myös selventävä kuva. (1p)
c sii a ET ää aie IN
leluna on Schumnostu, manesti ulkoisista teljoista johtuv ca.

hiestä jo la summan ta() stotaollin
5 !

b) Mikä on varaktori? (1p)

Lorktadkod!, säädetöys osk

Ö

m), Mikä.on toimintapiste? (1p) —.

Ö

d) Mikä on suurin ero FET- ja BJT-transistorien ohjauksessa? (1p)
Pi +565 menee kaotolle sido

= N
FET as lilli a pii n

e) Mitä tarkoittaa passiivinen vahvistin? (1p)

 

m

f) Mihin piensignaalimallia käytetään? (1p)

Ylen bortustotaa, N
Wii srannoli ollessa

Sivu1/6

 
-LT-20100 Analogiaelektroniikka
Opettaja: Erja Sipilä

28

b)

2

10-

1) Olet simuloinut erään vahvistinkytkennän am

(3p)
a)

o)

o
502 10082 E
0 DB(V(Vout) / V(Vin)) 306

4) kolaa (oz

Mikä on vahvistimen ulostulossa olevan si,
sisäänmenossa olevan signaalin AC-komp
kohdalla?
Mikä on vahvistimen kaistanleveys?

Onko kyseinen kytkentä AC- vai DC-kytketty? Perustele vastauksesi.

A 20 (05/ Voi)
i i Via /
rajata uus : n

o &

JN

c) AC

 

 

Tentti 18.12.2014

Tentissä saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta.

Freguency

 

out >

1.0M8z

plitudivastetta ja saanut alla olevan kuvan mukaisen tuloksen.

gnaalin vaihtokomponentin amplitudi taajuudella 10kHz, kun
onentin amplitudi on 15 mV? Entä ylemmän rajataajuuden

   

1007

Sivu2/6
 

 

Tentti 18.12.2014

-(-20100 Analogiaelektroniikka
Tentissä saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta.

opettaja: Erja Sipilä

   

Vop S IEV
2. ii) Laske oheisen kytkennän ulostulojännite Vour. Kytkennän R
2
käyttöjännitteet ovat S 15 V. (3p)
Vin =-4,6 V, R1=3,8 kO, = =
= Vn Vv
R2 = 15,8 kO ja Ra = 6,2 kO. out
—
I: Va-0 ( vt: Yy
—Fstssä >
R R
,
J SAAN j = 15.8 /46) Id.
; 3, 8 ; : / R
[1 - V,) = =]

3.1) Vertaile zenerdiodia, valodiodia ja LEDiä keskenään. Mieti ainakin niiden perustoimintaideoita ja
käyttökohteita. (2p) z va
en + €
er Costea Paljon Joremmnsn

: J eotimsen santtaki
oddelch J 3 5
ayl1öle de Sim ( 0 lee

Sivu3/6

 
 

ES N NCJest < K
<LT-20100 Analogiaelektroniikka

Tentti 18.12.2014
Opettaja: Erja Sipilä

Tentissä saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta.

3. ii) Kuvan piirissä käytettävän diodin ominaiskäyrä on ohessa.
r Vas =12V,R:=6800, R,=330 O ja Ra=3900. (4p)
a) Määritä ulostulojännite ME:
b) Mikä on jännitelähteestä Vas otettu teho?

 

 

 

 

      

 

 

 

<4
E
| Vo E
| 2
J 3
2
=
| asda aja sa] 55]
y 00 02-03 2045 05 0607
Diode voltage, V
Ru
v J : Vau - RinTo -R,Do=0
a
I+ Vw -W YO 2-2 GUA
Rm ks b2 02-71) 526,0
A W: R, Wan * SIE Vp 2860 >>] :S6A
a) Vout < D 5 = 2,4V
o) 33 Tes Vent Vp
a, Tz R.
1 1:3f
-V U INN,
A = VanT, = Von ( ovi 0,7)

4. i) Mitä ovat ohitus-

ja kytkentäkondensaattori? Mitkä ovat niiden tehtävät, ja mitä
mukanaan? Piirrä e:

etuja ja haittoja ne tuovat
simerkkikytkentä, josta nämä kondensaattorit löytyvät selkeästi

merkittyinä. (2p) = /63eW
if JANNITEHÄVIO
H- ot

tasav 5
o la LS

SI O

 

Sivu 4/6
 

.f-20100 Analogiaelektroniikka Tentti 18.12.2014
Jpettaja: Erja Sipilä Tentissä saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta.

4. ii) Kuvan piirissä käytetään JFETiä, jonka ominaiskäyrästö on esitetty oikeanpuoleisessa kuvassa. Määritä Vos, Ip ja
Vos, kun Vpp= 24 V, Rp= 3,9 k, Rs=1 k? ja Re> 100 k0.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(ap) Ohmic or non- Breakdown
saturation region
region Constant current or
= : saturation region
o Vop - Dp Vos RT; — ja e MA
5 : ; JULtt
H Vos=0.2V
19:15 4 1
5
- Y <
L = Von -V DS E 4
4 — S
R, N N 5 3
Mos 3
& 2
Vps =0 5 Tnz4,9 5
1
o 10 20 30 40 50
Drain-source voltage Vps, V
p
=
=
a
J

        
    
   

FETtien toiminta-alueiden virta- ja jänniteyhtälöt

Johtavuuden raja on.
n-kanavaisille FETeille.
P-kanavaisilla polariteetit ovat
toisin päin.

  
   

  
   

|Ohminen alue:
Vos 2Vr
Poo =Vas-Vos 2

2p = KV Vos Vos]

  

 

4, = elektronien pintaliikkuvuus]
[Cox = hilakapasitanssi / ala.

 
   

 

sivu5/6
 

.f-20100 Analogiaelektroniikka Tentti 18.12.2014
Opettaja: Erja Sipilä Tentissä saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta.

5. Kuvan komponenttien arvot ovat Vcc= 0, Vee =-10 V, Rz= 0, Rc= 1,8 kO ja Rs=47 KO. Transistorin B = 125. Piirrä
Vas -Vor -kuvaaja (Veg x-akselille ja Vo: y-akselille), josta löytyy selvästi merkittyinä transistorin toiminta-alueet,
! (6p)

Vec

Vea

 

Sivu 6/6