Exam text content

SMG-1100 — Piirianalyysi!
Tentti 15.12.2011 Risto Mikkonen

Oman ohjelmoitavan laskimen käyttö sallittu.

1. Määritä kerrostamismenetelmällä vastuksessa Ra lämmöksi muuttuva teho Pa. R1 =10,
R2=10,R3=10,E=10V,/,=10A,J2=10A.

 

 

 

 

 

 

2. Erään tasavirtalaitteen napoihin kytkettiin vuoron perään vastukset R; = 1 2 ja R; = 100
9, jolloin vastuksen tehon kulutus P oli molemmissa tapauksissa sama. Mikäli laitteen
napoihin kytketään vastus R3 = 10 02, vastuksen tehon kulutus on 10 W. Määritä teho P.

3. Vastaa seuraaviin kysymyksiin (perusteluja ei tarvita). Oheinen kuva liittyy kysymyksiin
e) -f).

e(t) (+) N R

KÄÄNNÄ!

 
a) Mitä ymmärretään ns. tehokertoimen käsitteellä?

b) Vastaako kondensaattori tasavirralla oikosulkua vai avointa piiriä?

c) Puhtaasti induktiivisen kuorman loisteho on 10 VAr. Mikä on kuorman näennäiste-
ho?

d) Piirikomponentin yli olevan jännitteen osoitin U = 5/30" V. Mikä on komponentin
yli oleva jännite ajanhetkellä t = 1 s, kun taajuus f = 1 Hz?

e) Mitä suodintyyppiä tehtävän piiri edustaa (ulostulona vastuksen yli oleva jännite)?

f) Mikä piirin komponenteista kuluttaa pätötehoa?

4. Määritä oheisessa piirissä käämin yli olevan jännitteen vo(t) huippuarvo V.R=600,C=
10 mF, L =5H ja e(t) = 20 sin (41 — 15") V.

 

 

5. Määritä oheisessa kytketyssä piirissä virtojen 7, ja 7, tehollisarvojen suhde. Käämien vä-
linen kytkentäkerroin on 0.548.