Exam text content

SMG-4100 Sähkömateriaalioppi - 15.12.2010

Exam text content

The text is generated with Optical Image Recognition from the original exam file and it can therefore contain erroneus or incomplete information. For example, mathematical symbols cannot be rendered correctly. The text is mainly used for generating search results.

Original exam
SMG-4100

Sähkömateriaalioppi
Tentti 15.12.2010 Lasse Söderlund

Saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta tentissä

Seuraavat väittämät ovat joko oikein tai väärin. Tehtävän pisteytys on seuraa-

O = oikein, V = väärin ja E = en tiedä.
a) Sähköisen dipolin muodostavat kaksi yhtä suurta ja samanmerkkistä vara-
usta pienen etäisyyden päässä toisistaan.
b) Ferroelektrinen aine voi olla polarisoitunut ilman ulkoista sähkökenttää.

o) Tuottaessaan halutun magneettikentän itsensä ulkopuolelle kestomagneet-
ti pyrkii demagnetoimaan itseään.

d) Klassisessa metallien sähkönjohtavuustarkastelussa elektronien kollektii-
visessa liikkeessä huomioidaan vain elektronit, joiden energiat ovat lähel-

lä fermienergiaa.

e) Schottky-diodin toiminta perustuu metalli-puolijohde -rajapinnan ta-
sasuuntaavaan vaikutukseen.

f) Johdemuovilla tarkoitataan polymeeriä, joka on seostettu donori- tai ak-
septoriaineilla varauksenkuljettajien aikaansaamiseksi.

Selvitä lyhyesti

 

a) Meissner-ilmiö
b) elektronipolarisaatio
c) Josephson efekti

a) Mihin perustuvat Seebeckin ja Peltierin ilmiöt ja miten niitä voidaan hyö-
dyntää?
b) Selvitä lyhyesti, mitä tarkoitetaan sähkökemiallisella korroosiolla.

Selvitä makroskooppisesti tarkasteltuna ferromagneettisen materiaalin magnetoitu-
mismekanismia ulkoisen magneettikentän vaikutuksesta.

a) Laske kahden sylinterielektrodin, sisäsäde r; = 5 cm ja ulkosäde r, = 16 cm,
välissä olevan johteen resistanssi (säteittäissuunnassa), kun johteen johta-
vuus on =0,5 - 107 S/m ja johteen pituus on 125 cm.

—
b)

Mitoita transistorille tarvittavan jäähdytysprofiilin pituus oheista kuvaa ja seuraavia
tietoja hyväksi käyttäen:

Profiilin poikkileikkaus (mm).

lämpöresistanssi puolijohdepalasta transistorin koteloon 1,5 C/W
lämpöresistanssi transistorin kotelosta jäähdytyslevyyn 0,4 C/W
ympäröivän ilman maksimilämpötila T,= 65 *C

transistorin maksimilämpötila Tj=150*C

transistorin teho P=20 W

65

 

i . 4 8 1 15 20

i P(W)
Profiilin (mm) ja ympäristön lämpötilaero AT
profiiliin syötetyn lämpötehon funktiona.


We use cookies

This website uses cookies, including third-party cookies, only for necessary purposes such as saving settings on the user's device, keeping track of user sessions and for providing the services included on the website. This website also collects other data, such as the IP address of the user and the type of web browser used. This information is collected to ensure the operation and security of the website. The collected information can also be used by third parties to enable the ordinary operation of the website.

FI / EN