Exam text content

SMG-4100 Sähkömateriaalioppi - 20.12.2011

Exam text content

The text is generated with Optical Image Recognition from the original exam file and it can therefore contain erroneus or incomplete information. For example, mathematical symbols cannot be rendered correctly. The text is mainly used for generating search results.

Original exam
SMG-4100

Sähkömateriaalioppi
Tentti 20.12.2011 Lasse Söderlund

Saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta tentissä

Seuraavat väittämät ovat joko oikein tai väärin. Tehtävän pisteytys on seuraa-
vanlainen. Oikea vastaus +1 p, väärä vastaus -1 p ja en tiedä 0 p. Käytä
O = oikein, V = väärin ja E = en tiedä.

a)

b)

a)

b)

2)

b)

Johdemuovilla tarkoitetaan polymeeriä, joka on seostettu donori- tai
akseptoriaineella varauksenkuljettajien aikaansaamiseksi.

Sähköisen dipolin muodostavat kaksi yhtä suurta ja samanmerkkistä
varausta pienen etäisyyden päässä toisistaan.

Toisen lajin suprajohde käyttäytyy kuin voimakas paramagneettinen aine,
kun H<H,.

Eristysrakenteen sähkölujuus on jännite, jolla sähköinen rakenne pettää.

Valmistettaessa elektrolyysillä puhdasta metallia raakametalli asetetaan
katodiksi ja puhtaasta metallista valmistettu ohut levy anodiksi.

Magnetostriktio ilmenee dielektrisillä materiaaleilla.

Selvitä lyhyesti sähköistä johtavuutta energiavyömallin mukaan metallille,
puolijohteelle ja eristeelle.

Selvitä diskreetin vastuskomponentin taajuuskäyttäytymistä (vaikuttavat te-
kijät).
Selvitä metallikalvovastuksen rakenne ja miten vastuksen suuruuteen voi-

daan vaikuttaa.

Selvitä lyhyesti metallien, puolijohteiden ja eristeaineiden soveltuvuus läm-
pösähkömateriaaleiksi.

Selvitä makroskooppisesti tarkasteltuna ferromagneettisen materiaalin magnetoitu-
mismekanismia ulkoisen magneettikentän vaikutuksesta.

2)

Selvitä toimintaperiaate, miten Hall-ilmiötä hyväksikäyttäen voidaan mitata
tasavirtaa.

 
Mitoita transistorille tarvittavan jäähdytysprofiilin pituus oheista kuvaa ja seuraavia
tietoja hyväksi käyttäen:

= lämpöresistanssi puolijohdepalasta transistorin koteloon 1,5 "C/W
- lämpöresistanssi transistorin kotelosta jäähdytyslevyyn 0,4 *C/W
- ympäröivän ilman maksimilämpötila T; = 65

- transistorin maksimilämpötila Tj= 150 *

- transistorin teho P=20 W

- ATO)

 

Profiilin (mm) ja ympäristön lämpötilaero AT
profiiliin syötetyn lämpötehon funktiona.

Profiilin poikkileikkaus (mm).

 


We use cookies

This website uses cookies, including third-party cookies, only for necessary purposes such as saving settings on the user's device, keeping track of user sessions and for providing the services included on the website. This website also collects other data, such as the IP address of the user and the type of web browser used. This information is collected to ensure the operation and security of the website. The collected information can also be used by third parties to enable the ordinary operation of the website.

FI / EN