Exam text content

SMG-4100 Sähkömateriaalioppi - 29.01.2008

Exam text content

The text is generated with Optical Image Recognition from the original exam file and it can therefore contain erroneus or incomplete information. For example, mathematical symbols cannot be rendered correctly. The text is mainly used for generating search results.

Original exam
SMG-4100

Sähkömateriaalioppi

Tentti

29.1.2008 Lasse Söderlund

Laskimen käyttö on sallittu.

Seuraavat väittämät ovat joko oikein tai väärin. Tehtävän pisteytys on seuraa-
vanlainen. Oikea vastaus +1 p, väärä vastaus -1 p ja en tiedä 0 p. Käytä
O = oikein, V = väärin ja E = en tiedä.

 

a) Valmistettaessa elektrolyysillä puhdasta metallia raakametalli asetetaan ka-
todiksi ja puhtaasta metallista valmistettu ohut levy anodiksi.

b) Toisen lajin suprajohde käyttäytyy kuin voimakas paramagneettinen aine,
kun H< Hi.

(e) Schottky-diodin toiminta perustuu metalli-puolijohde rajapinnan tasasuun-
taavaan vaikutukseen.

d) Itseispuolijohteella elektronien ja aukkojen liikkuvuus kasvaa lämpötilan
kasvaessa.

e) Ferrimagneettisilla aineilla voi olla suuria suskeptibiliteetin arvoja.

f Sähköisen dipolin muodostavat kaksi yhtä suurta ja samanmerkkistä varaus-
ta pienen etäisyyden päässä toisistaan.

Selvitä lyhyesti

2) Seebeckin ilmiö -

b) metallin myötöraja

c) kovalenttinen sidos

d) magnetostriktio

a) Selvitä diskreetin vastuskomponentin taajuuskäyttäytymistä (vaikuttavat te-
kijät).

b) Mitä tarkoitetaan ferroelektrisellä ilmiöllä sekä miten ko. ilmiön selitetään
syntyvän barriumtitanaatilla.

a) Selvitä raudan piipitoisuuden vaikutus muuntajalevyn mekaanisiin ja säh-

b)

kömagneettisiin ominaisuuksiin.

Selvitä kolme mahdollisuutta muovin sähkönjohtavuuden aikaansaamiseksi.

 
a) Selvitä yksi puolijohdemateriaalilla havaittavan Hall-ilmiön käyttösovel-
lusesimerkki (toimintaperiaate).

b) Selvitä sähköistä johtavuutta energiavyömallin mukaan metallille, puolijoh-
teelle ja eristeelle.

Mitoita transistorille tarvittavan jäähdytysprofiilin pituus oheista kuvaa ja seuraavia
tietoja hyväksi käyttäen:

- lämpöresistanssi puolijohdepalasta transistorin koteloon 1,5 "C/ W
- lämpöresistanssi transistorin kotelosta jäähdytyslevyyn 0,4*C/W
= ympäröivän ilman maksimilämpötila T, = 65 *C

- transistorin maksimilämpötila Tj = 150 *C

- transistorin teho P=20 W

65

  

Profiilin (mm) ja ympäristön lämpötilaero AT

Profiilin poikkileikkaus (mm). profiiliin syötetyn lämpötehon funktiona.


We use cookies

This website uses cookies, including third-party cookies, only for necessary purposes such as saving settings on the user's device, keeping track of user sessions and for providing the services included on the website. This website also collects other data, such as the IP address of the user and the type of web browser used. This information is collected to ensure the operation and security of the website. The collected information can also be used by third parties to enable the ordinary operation of the website.

FI / EN